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IEEE Electron Device Letters

出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers · ISSN：0741-3106, 1558-0563 · 国家/地区：US · 类型：journal · 官网：http://ieeexplore.ieee.org/servlet/opac?punumber=55

研究主题：Semiconductor materials and devices · Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design · Ferroelectric and Negative Capacitance Devices · Thin-Film Transistor Technologies · GaN-based semiconductor devices and materials

数据覆盖：11 个公开学术数据源交叉核验（comments、crossref、fqb、jcr、openalex、scimago、submission、wikidata、xr、cwts、jufo）。

数据来源与实体核验

期刊官网 · OpenAlex 期刊实体 · Wikidata 期刊实体

核心指标

影响因子(JCR 2025):4.600
JCR 分区:Q2(ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC)
中科院分区(2025):工程技术 2区，大类排名 199/1437;小类:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 3区，排名 74/352
新锐分区(2026):工程技术 2区
SJR:1.087(Q1)，2025 年，United States
CWTS 2025:SNIP 1.440 · IPP 4.486 · 自引率 9.5%
JUFO 出版渠道等级:芬兰 2 · 挪威 1 · 丹麦 1
h-index:202
i10 指数:9542
近两年篇均被引:3.58
载文量 17231 · 总被引 452767
Crossref DOI 总量:17084，近期 1947

逐年趋势

近年影响因子:2021 4.82 → 2022 4.9 → 2023 4.1 → 2024 4.5 → 2025 4.6
近年 SJR:2021 1.13(Q1) → 2022 1.32(Q1) → 2023 1.25(Q1) → 2024 1.15(Q1) → 2025 1.09(Q1)

投稿参考

审稿周期:首次审稿意见平均约 1.3 个月
投稿人评价:3.6 分(5 条评价)，置信度 medium
最近投稿记录:2023-01-06
实测录用率:约 100%(投稿记录聚合,仅供参考)
中位首审周期:约 42 天(投稿记录聚合)
平均审稿轮次:1.0 轮
投稿难度指数:2.6 / 5
审稿速度指数:3.9 / 5
版面费(APC)约 $2645 USD(以期刊官网为准)
提供 LaTeX 投稿模板(IEEEtran.cls)

投稿人评论摘录

ieee edl这两年懂得都懂，必须要first或most的东西投才能给修/录用的机会。审稿很专业，速度很快，有好的工作可以试试。2021.11.24 re-submitted;2021.12.06 accept。(来源:PeipuSci)
硕士研究生期间第一篇论文，期刊对格式要求非常非常严格，投稿的时候因为格式不符，被退回来两三次。两个审稿人，一个肯定了工作，一个说缺乏创新性，编辑最终给的大修，修改十天后再次提交，接收。达成毕业条件了，开心，希望期刊越办越好。 11(来源:PeipuSci)
8.1 投稿 8.17 大修 8.25 修改提交 9.4 小修 9.8 提交 9.8 小修（Figure的线条的粗细，然而没有get到编辑的意思） 9.11 提交 9.11 小修（Figure的线条的粗细） 9.12 提交 9.12 接收 EDL真的是一个非常好的杂志，在MEMS…(来源:小木虫)

摘录自公开投稿记录聚合,仅供投稿参考。

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