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IEEE Transactions on Electron Devices

出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers · ISSN：0018-9383, 1557-9646 · 国家/地区：US · 类型：journal · 创刊：1954 · 官网：http://eds.ieee.org/t-ed.html

研究主题：Semiconductor materials and devices · Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design · Silicon Carbide Semiconductor Technologies · Semiconductor Quantum Structures and Devices · Ferroelectric and Negative Capacitance Devices

数据覆盖：11 个公开学术数据源交叉核验（comments、crossref、fqb、jcr、openalex、scimago、submission、wikidata、xr、cwts、jufo）。

数据来源与实体核验

期刊官网 · OpenAlex 期刊实体 · Wikidata 期刊实体

核心指标

影响因子(JCR 2025):3.600
JCR 分区:Q2(ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC)
中科院分区(2025):工程技术 3区，大类排名 291/1437;小类:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 3区，排名 113/352
新锐分区(2026):工程技术 3区
SJR:0.809(Q1)，2025 年，United States
CWTS 2025:SNIP 1.398 · IPP 3.545 · 自引率 14.0%
JUFO 出版渠道等级:芬兰 3 · 挪威 2 · 丹麦 1
h-index:275
i10 指数:16686
近两年篇均被引:3.43
载文量 33088 · 总被引 826791
Crossref DOI 总量:32798，近期 3242

逐年趋势

近年影响因子:2021 3.22 → 2022 3.1 → 2023 2.9 → 2024 3.2 → 2025 3.6
近年 SJR:2021 0.695(Q2) → 2022 0.773(Q2) → 2023 0.785(Q1) → 2024 0.788(Q2) → 2025 0.809(Q1)

投稿参考

审稿周期:首次审稿意见平均约 2.0 个月
投稿人评价:3.3 分(77 条评价)，置信度 high
最近投稿记录:2026-05-07
实测录用率:约 95%(投稿记录聚合,仅供参考)
中位首审周期:约 61 天(投稿记录聚合)
平均审稿轮次:1.1 轮
投稿难度指数:2.8 / 5
审稿速度指数:2.7 / 5
版面费(APC)约 $2645 USD(以期刊官网为准)
提供 LaTeX 投稿模板(IEEEtran.cls)
提供投稿指南

投稿人评论摘录

2026/03/30 Submitted/Under Review2026/05/07 Awaiting ED Preliminary Decision2026/05/14 Awaiting Decision Approval2025/05/15 Major Revision/R…(来源:LetPub)
2026.01.07 submitted2026.02.15 awaiting editor Preliminary Decision2026.02.23 Major Revision /Reject and Resubmit2026.3.16 submitted2026.3.1…(来源:LetPub)
2024.8.10 submitted2024.10.08 Major Revision /Reject and Resubmit2026.01.07 submitted2026.02.15 awaiting ED Preliminary Decision 2026.2.23 M…(来源:LetPub)

摘录自公开投稿记录聚合,仅供投稿参考。

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