Effect of boron nitride particle sizes on the high-temperature resistance and dielectric properties of methylphenyl silicon resin matrix composites

作者：Shi Jin-le, Xia Qian-shan, Wang Yan, Ren Lu-sheng, Cui Peng, Liu Tian-yi, Xia Yu-liang · 发表于：Acta Physica Sinica · 年份：2026 · DOI：10.7498/aps.75.20260574 · 研究领域：Advanced ceramic materials synthesis、Synthesis and properties of polymers、Thermal properties of materials

为满足高频电路封装技术对耐高温及低介电损耗的绝缘材料的迫切需求，本研究采用KH560改性的甲基苯基硅树脂为基体，通过引入三种不同粒径的氮化硼制备了多种氮化硼/甲基苯基硅树脂复合材料，探究了氮化硼粒径对复合材料耐高温和介电性能的影响规律。研究结果表明，大粒径氮化硼在基体中的取向度更高，这一微观结构特征使得10-BN/MSR展现出最优的热稳定性、击穿强度及介电频率稳定性。其5%热失重温度达402℃，较MSR显著提升，且该复合材料在1 MHz下的相对介电系数的实部为3.48，损耗正切角值为0.00595，并展现出优异的频率稳定性。此外，其击穿场强高达111.1 kV/mm。本研究所制备的耐高温和低介电绝缘封装材料，在电子封装领域具有良好的应用前景。