Theoretical study on the radiative association process of SiS molecules

作者：LIDAN XIAO, Yu Zhang, JUNWEN GAO, YUEYING QI · 发表于：Acta Physica Sinica · 年份：2026 · DOI：10.7498/aps.75.20260161 · 研究领域：Silicon Nanostructures and Photoluminescence、Dust and Plasma Wave Phenomena、Gas Dynamics and Kinetic Theory

硅硫化合物作为星际富硅环境中的分子示踪物，其经由辐射缔合形成的微观机制尚不明确，在一定程度制约了天体物理化学领域的发展。本文通过对SiS分子辐射缔合过程关键参数的计算研究，为星际模型提供坚实的物理基础。首先，运用多参考组态相互作用方法icMRCI+Q方法对SiS分子18个Λ-S态的势能曲线、光谱常数以及电偶极跃迁矩展开计算。通过全量子方法，计算结果显示，SiS分子辐射缔合截面随碰撞能量呈现复杂共振结构，并明确将其共振特征与电子态势阱深度关联。其中，11Π、21Σ+的深势阱中产生多个连续的共振峰，21Π这类浅势阱产生了尖锐的分立峰。获取宽温域10-20,000 K的辐射缔合速率系数，并拟合为可直接嵌入主流天体化学模型的参数公式，填补了该关键反应的数据缺失。该研究成果将会为星际SiS分子提供具有可靠性的微观反应数据，进一步增进对富硅环境中分子非绝热形成过程的认知，同时为相关多电子分子体系辐射过程的研究提供了理论范例。