Experimental Study of Emission Scaling Factor Based on InGaAs/GaAs Quantum Well Structure

作者：Wei Wang, Shuting YANG, Yaxin WANG, Yuxuan WANG, Ru Wang, Q. Yu · 发表于：Chinese Journal of Luminescence · 年份：2023 · DOI：10.37188/cjl.20230249 · 研究领域：Semiconductor Quantum Structures and Devices

2024年1月5日无锡学院 江苏省集成电路可靠性技术及检测系统工程研究中心的王伟、于庆南团队在《发光学报》发文, 辐射标定因子作为半导体激光器的重要物理参数，在揭示器件性能方面一直扮演着重要角色。本文提出了一种测量辐射标定因子的实验方法，利用这一方法开展了对980 nm InGaAs /GaAs 量子阱结构的辐射特性研究。该项研究提出了一种测量辐射标定因子的新方法，在揭示发光材料辐射机制和推动激光器发展方面具有较重要研究价值。