Die durchschnittlichen Atomwärmen der A III B v -Halbleiter AlSb, GaAs, GaSb, InP, InAs, lnSb und die Atomwärme des Elements Germanium zwischen 12 und 273°K

作者：Ulrich Piesbergen · 发表于：Zeitschrift für Naturforschung A · 年份：1963 · DOI：10.1515/zna-1963-0206 · 被引用次数：160 · 研究领域：Silicon Nanostructures and Photoluminescence、Semiconductor materials and interfaces、Thermal properties of materials

Es werden die durchschnittlichen Atomwärmen der Verbindungshalbleiter AlSb, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb und die Atomwärmen des Elements Germanium zwischen 10 und 273°K gemessen. Im Verlauf der Debyeschen charakteristischen Temperaturen tritt ein Minimum auf, welches als ein Charakteristikum des Zinkblendegitters gedeutet wird. Der bei höheren Temperaturen erscheinende, zusätzliche Anteil zur Gitterwärme wird mit der beginnenden Anharmonizität der Gitterschwingung erklärt.