杨国文 Yang Guowen

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代表论文

• Development of Semiconductor Lasers (2020 · Chinese Journal of Lasers · 被引 29)
• 用于掺铒光纤放大器的高功率单模980 nm半导体激光芯片与模块 (2023 · Chinese Journal of Lasers · 被引 2)
• 基于光热反射的高功率半导体激光器输出腔面温度研究方法 (2024 · Chinese Journal of Lasers · 被引 1)
• 双应力交叉步进加速退化试验下大功率半导体激光器寿命预测方法 (2023 · Infrared and Laser Engineering)
• Development of 808 nm Quasi-Continuous Wave Laser Diode Bar with 600 W Output Power (2017 · Chinese Journal of Lasers)